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日本進(jìn)口Nasgiken批量晶圓整體表面蝕刻設(shè)備 BEM-310 該設(shè)備使用臭氧和HF對硅晶片的整個表面進(jìn)行體蝕刻。 氣體蝕刻不會在晶圓表面產(chǎn)生水滴。 蝕刻期間晶圓中的污染物不會轉(zhuǎn)移到其他位置。 這是在潔凈室中使用的獨立式設(shè)備。
2024-10-12
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日本nasgiken硅晶片氣體蝕刻設(shè)備潔凈室裝置 BEM-310 該設(shè)備使用臭氧和HF對硅晶片的整個表面進(jìn)行體蝕刻。 氣體蝕刻不會在晶圓表面產(chǎn)生水滴。 蝕刻期間晶圓中的污染物不會轉(zhuǎn)移到其他位置。 這是在潔凈室中使用的獨立式設(shè)備。
2024-10-12
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